[发明专利]3DIC互连器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

浅沟槽隔离区，形成在所述第一衬底内；

第一垂直堆叠的互连件，形成在所述第一衬底的所述第一侧上的相应的第一介电层内；

第二衬底，具有第三侧和与所述第三侧相对的第四侧，所述第一衬底的所述第一侧面对所述第二衬底的所述第三侧；

第二互连件，形成在所述第二衬底的所述第三侧上的相应的第二介电层内；以及

导电插塞，从所述第一衬底的所述第二侧延伸至所述第二互连件的第一导电部件，所述导电插塞延伸穿过所述浅沟槽隔离区和所述第一垂直堆叠的互连件的至少两个导电部件；其中，随着所述导电插塞由浅沟槽隔离区的第一侧延伸至浅沟槽隔离区的第二侧，所述导电插塞的宽度变窄；其中所述浅沟槽隔离区的第二侧为所述浅沟槽隔离区距离所述第一垂直堆叠的互连件最近的一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一垂直堆叠的互连件形成围绕所述导电插塞的密封环。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的部分插入在所述导电插塞和所述密封环之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一垂直堆叠的互连件包括导线。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一垂直堆叠的互连件还包括导电通孔。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一垂直堆叠的互连件具有环形形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括从所述第二互连件的第一导电部件延伸至所述第一垂直堆叠的互连件的第一部分，以及延伸穿过所述第一垂直堆叠的互连件的至少两个导电部件的第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述导电插塞还包括延伸穿过所述第一衬底的第三部分，所述第三部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

9.一种半导体器件，包括：

第一工件，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一工件包括形成在所述第一侧上的第一介电层，所述第一介电层具有形成在第一介电层中的第一互连件和第二互连件，其中，所述第一互连件和所述第二互连件均具有环形形状；

第二工件，接合至所述第一工件，所述第二工件包括形成在所述第二工件的第三侧上的第二介电层，所述第二介电层具有形成在所述第二介电层中的第三互连件，其中，所述第一工件的所述第一侧面对所述第二工件的所述第三侧；以及

导电插塞，从所述第一工件的所述第二侧延伸至所述第三互连件，所述导电插塞包括：

第一部分，从所述第三互连件延伸至所述第二互连件；

第二部分，从所述第二互连件延伸至所述第一互连件，其中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；和

第三部分，延伸穿过所述第一工件的第一衬底中的浅沟槽隔离区，其中，随着所述第三部分由浅沟槽隔离区的第一侧延伸至浅沟槽隔离区的第二侧，所述第三部分的宽度变窄；其中所述浅沟槽隔离区的第二侧为所述浅沟槽隔离区距离所述第一互连件和第二互连件最近的一侧。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第三部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一互连件和所述第二互连件是密封环的部分，所述密封环围绕所述导电插塞的所述第二部分。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，插入在所述密封环和所述导电插塞之间的所述第一介电层的部分不含导电部件。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述密封环电连接至所述导电插塞。