[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一导电型的外延层；被施以第一电位的第二导电型的第一阱；被施以与第一电位不同的第二电位的第二导电型的第二阱；被设置在第一阱与第二阱之间的外延层中的第一导电型的第三阱；被设置在第一阱之下的外延层中的第一导电型的第一杂质区域；被设置在第一阱中的第一MOS晶体管；被设置在第二阱中的第二MOS晶体管；被设置在第三阱中的第三MOS晶体管，第一杂质区域的杂质浓度高于外延层的杂质浓度。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基板；第一导电型的外延层，其外延生长在所述半导体基板上；第二导电型的第一阱，其被设置于所述外延层中，并被施以第一电位；所述第二导电型的第二阱，其被设置于所述外延层中，并被施以与所述第一电位不同的第二电位；所述第一导电型的第三阱，其被设置在所述第一阱与所述第二阱之间的所述外延层中；所述第一导电型的第一杂质区域，其被设置在所述第一阱之下的所述外延层中；第一MOS晶体管，其被设置于所述第一阱中；第二MOS晶体管，其被设置于所述第二阱中；第三MOS晶体管，其被设置于所述第三阱中；所述第二导电型的第二杂质区域，其被设置于所述外延层中，所述第一杂质区域的杂质浓度高于所述外延层的杂质浓度，所述第二杂质区域具有：第一部分，其被设置于所述第一杂质区域之下；第二部分，其与所述第一部分连接，并以在俯视观察时包围所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱的方式而被设置，所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱在第一方向上排列，在俯视观察时，与所述第一方向正交的第二方向上的、所述第一阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离，在俯视观察时，所述第二方向上的、所述第二阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离。