[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

第一导电型的外延层，其外延生长在所述半导体基板上；

第二导电型的第一阱，其被设置于所述外延层中，并被施以第一电位；

所述第二导电型的第二阱，其被设置于所述外延层中，并被施以与所述第一电位不同的第二电位；

所述第一导电型的第三阱，其被设置在所述第一阱与所述第二阱之间的所述外延层中；

所述第一导电型的第一杂质区域，其被设置在所述第一阱之下的所述外延层中；

第一MOS晶体管，其被设置于所述第一阱中；

第二MOS晶体管，其被设置于所述第二阱中；

第三MOS晶体管，其被设置于所述第三阱中；

所述第二导电型的第二杂质区域，其被设置于所述外延层中，

所述第一杂质区域的杂质浓度高于所述外延层的杂质浓度，

所述第二杂质区域具有：

第一部分，其被设置于所述第一杂质区域之下；

第二部分，其与所述第一部分连接，并以在俯视观察时包围所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱的方式而被设置，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱在第一方向上排列，

在俯视观察时，与所述第一方向正交的第二方向上的、所述第一阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离，

在俯视观察时，所述第二方向上的、所述第二阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一杂质区域被设置在所述第二阱之下以及所述第三阱之下。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，包括：

所述第一导电型的第四阱，其被设置于所述第二部分与所述第一阱之间的所述外延层中；

所述第一导电型的第五阱，其被设置于所述第二部分与所述第二阱之间的所述外延层中；

第四MOS晶体管，其被设置于所述第四阱中；

第五MOS晶体管，其被设置于所述第五阱中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，包括：

所述第二导电型的第六阱，其在俯视观察时被设置于所述第二部分的外侧的所述外延层中；

所述第二导电型的第三杂质区域，其以在俯视观察时包围所述第六阱的方式而被设置；

LDMOS晶体管，其被设置于所述第六阱中。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，包括：

所述第二导电型的第六阱，其在俯视观察时被设置于所述第二部分的外侧的所述外延层中；

所述第二导电型的第三杂质区域，其以在俯视观察时包围所述第六阱的方式而被设置；

LDMOS晶体管，其被设置于所述第六阱中。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第一阱在俯视观察时被设置于所述第一杂质区域的外缘的内侧。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第一MOS晶体管的栅极绝缘膜的厚度与所述第二MOS晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在外延生长于半导体基板上的第一导电型的外延层中形成所述第一导电型的第一杂质区域以及第二导电型的第二杂质区域的工序；

在所述第一杂质区域上的所述外延层中形成所述第二导电型的第一阱，在所述外延层中形成所述第二导电型的第二阱，在所述第一阱与所述第二阱之间的所述外延层中形成所述第一导电型的第三阱的工序；

在所述第一阱中形成第一MOS晶体管，在所述第二阱中形成第二MOS晶体管，在所述第三阱中形成第三MOS晶体管的工序，

在所述第一阱上施以第一电位，

在所述第二阱上施以与所述第一电位不同的第二电位，

在形成所述第一杂质区域的工序中，

所述第一杂质区域以与所述外延层相比杂质浓度较高的方式而被形成，

在形成所述第二杂质区域的工序中，

所述第二杂质区域以具有被设置在所述第一杂质区域之下的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分的方式而被形成，

在形成所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱的工序中，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱以在俯视观察时被第二部分包围的方式而被形成，

所述第一阱、所述第二阱以及所述第三阱以在第一方向上排列的方式而被形成，

在俯视观察时，与所述第一方向正交的第二方向上的、所述第一阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离，

在俯视观察时，所述第二方向上的、所述第二阱与所述第二部分之间的距离大于所述第三阱与所述第二部分之间的距离。