[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510011859.7 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826215B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;施林波;陈福成;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;B81C3/00;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS‑TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了MEMS‑TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间密封，刻蚀液不会从对第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，不会对晶圆键合结构造成损伤，提高了MEMS‑TSV键合结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆中形成有MEMS结构，所述第二晶圆中形成有TSV结构；使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构；对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理；将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄；所述进行密封处理的步骤包括：在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域涂布胶体材料，对所述晶圆键合结构进行烘烤，使所述胶体材料固化，形成密封结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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