[发明专利]覆晶薄膜型半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201480002926.2 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104823276A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 金成振;金俊一;金学模 | 申请（专利权）人： | 东部HITEK株式会社;金成振 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 胡艳 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种覆晶薄膜(COF)型半导体封装，作为用在显示设备中的驱动器集成电路(IC)的半导体封装，其包括柔性薄膜、在柔性薄膜上形成的电极图案、电连接至电极图案的导电块、通过导电块电连接至电极图案并安装在电极图案上的半导体器件、以及在电极图案的至少一部分上形成用于密封导电块和半导体器件的第一保护层，其中所述第一保护层包括用于消散半导体器件产生的热量的导热材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
覆晶薄膜(COF)型半导体封装，作为用在显示设备中的驱动器集成电路(IC)的半导体封装，包括：柔性薄膜；在所述柔性薄膜上形成的电极图案；电连接至所述电极图案的导电块；通过所述导电块电连接至所述电极图案并安装在所述电极图案上的半导体器件；和在所述电极图案的至少一部分上形成的，将所述导电块和所述半导体器件密封的第一保护层，其中所述第一保护层包括用于消散所述半导体器件产生的热量的导热材料。
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