[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410825904.8 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN104617056B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 卢祯发;刘重希;余振华;陈威宇;陈正庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被图案化以暴露至少一部分的该接触垫；以及一凸块下金属结构，延伸于该聚合物层之上并与该接触垫电性连接，其中该聚合物层具有一第一部分及与该第一部分连接的第二部分，该第一部分被该凸块下金属结构完全覆盖，该凸块下金属结构直接接触该第一部分的一顶表面与一侧壁，该第二部分由该凸块下金属结构露出，该第一部分具有一第一表面粗糙度，该第二部分具有不同于该第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度，该聚合物层的由原子力显微镜以表面积差异比率系数所测得的该第二表面粗糙度介于1％至8％之间。
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