[发明专利]半导体结构及其制法在审
| 申请号： | 201410540181.7 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105428328A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋静雯;陈光欣;陈贤文 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括承载板、半导体晶片与封装胶体，该半导体晶片设于该承载板上，且具有连接该承载板的非作用面与相对该非作用面的作用面，该作用面上形成有多个金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上形成有凸块底下金属层，该封装胶体形成于该承载板上，以包覆该半导体晶片，该封装胶体的表面齐平于该金属柱的端面。本发明能有效提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体晶片，具有非作用面与相对该非作用面的作用面；多个金属柱，形成于该作用面上；以及凸块底下金属层，形成于该金属柱与作用面之间及该金属柱的侧表面上。
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