[发明专利]检测样品的制备方法及检测样品有效
| 申请号： | 201410522596.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448660B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 周飞;张帅;居建华;孙浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测样品的制备方法及检测样品，其中，检测样品的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构；在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述凸起结构高于所述绝缘层的部分为鳍部；对所述半导体衬底、所述鳍部和所述绝缘层进行离子注入；去除所述绝缘层；在所述半导体衬底、凸起结构的顶部和侧壁形成指示层；在所述指示层上形成填充层，所述填充层的高度大于或等于所述凸起结构顶部的指示层的高度，所述填充层的顶部平整。采用本发明的方法可以将鳍式场效应晶体管中不平整的凸起结构应用于二次离子质谱的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 凸起结构 绝缘层 衬底 检测样品 半导体 填充层 指示层 制备 鳍部 平整 鳍式场效应晶体管 二次离子质谱 种检测 侧壁 分立 去除 离子 检测 应用 | ||
【主权项】：
1.一种检测样品的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构；在相邻的所述凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述凸起结构高于所述绝缘层的部分为鳍部；对所述半导体衬底、所述鳍部和所述绝缘层进行离子注入；去除所述绝缘层；在所述半导体衬底、凸起结构顶部和凸起结构侧壁形成指示层，所述指示层适于对所述凸起结构的顶层及所述凸起结构顶层以下沿深度方向的各层信息跟踪；在所述指示层上形成填充层，所述填充层的高度大于或等于所述凸起结构顶部的指示层的高度，所述填充层的顶部平整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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