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[发明专利]像素排列结构及显示面板-CN201911359195.8有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：本发明涉及像素排列结构和显示面板，其中，像素排列结构包括重复单元，重复单元呈四边形，重复单元包括两个第一子像素、两个第二子像素、两个第三子像素和一个第四子像素，其中，两个第一子像素、两个第二子像素和两个第三子像素环绕第四子像素周围排布，并且，两个第一子像素、两个第二子像素和两个第三子像素的均相对同一对称轴呈轴对称分布，且对称轴通过第四子像素的中心点；第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素中至少有三种发光颜色，且第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光颜色各不相同。该像素排列结构能够在不增加制备难度的基础上，提高显示面板的分辨率。
像素排列结构显示面板

[发明专利]像素结构及含有该像素结构的显示面板-CN201910295615.4有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素结构及含有该像素结构的显示面板。该像素结构的各像素单元中的两个第二子像素均与第四子像素共边且两个第二子像素以第四子像素的中心点中心对称，各像素单元中的两个第三子像素均与第四子像素共边且两个第三子像素以第四子像素的中心点中心对称，各像素单元中两个第一子像素的圆心分别与第四子像素中两个对角的顶点共点，且第一子像素与其两侧的第二子像素和第三子像素共边。各像素单元以中间的第四子像素作为中心，可以分为两个子像素组，而相邻的像素单元之间，子像素还可以重新组合构成新的子像素组，因而整个像素结构的虚拟分辨率大大提高，进而有利于提高整个显示面板的分辨率，有利于实现高分辨率的显示效果。
像素结构含有显示面板

[发明专利]像素结构及显示面板-CN201911413430.5有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素结构以及具有该像素结构的显示面板，像素结构中包括多个呈六边形的单色像素单元，单色像素单元之间通过相对的连接顶点进行连接，围绕同一连接顶点连接的四个单色像素单元中至少有一个单色像素单元包括多个子像素，制作时在一个单色像素单元区域可一次形成多个像素，因而能够降低设备和工艺的精度要求，有利于获得高分辨率的显示器件。
像素结构显示面板

[发明专利]顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用-CN201910191713.3有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种顶发射垂直发光晶体管及其制备方法和应用，该顶发射垂直发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅电极、增反绝缘层、源电极、有机功能层和漏电极；增反绝缘层包括多层反射膜，且任意相邻两层所述反射膜的折射率不相同。上述顶反射垂直发光晶体管无需使用高反射电极即可增强顶发射垂直发光晶体管的出光效率。
发射垂直发光晶体管及其制备方法应用

[发明专利]金属氧化物薄膜图案化的方法及应用-CN201910182297.0有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化物薄膜图案化的方法及应用。所述金属氧化物薄膜图案化的方法，包括以下步骤：提供混合溶液，所述混合溶液包括金属氧化物前驱体和β二酮类化合物；提供衬底，在所述衬底表面沉积所述混合溶液，进行紫外光照射处理或O2等离子体处理，形成中间图案化薄膜层；对所述中间图案化薄膜层进行退火处理，得到金属氧化物薄膜层。上述金属氧化物薄膜图案化的方法，无需使用光刻胶等化学毒性大的物质，安全环保，节省工艺制程。
金属氧化物薄膜图案方法应用

[发明专利]发光晶体管及其制备方法-CN201811588369.3有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光晶体管及其制备方法。发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅极、绝缘层、源极、发光结构以及漏极；源极包括第一齿柄以及若干个与第一齿柄连接的第一齿条；发光结构，位于源极上并且覆盖绝缘层，发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；漏极包括第二齿柄以及若干个与第二齿柄连接的第二齿条；在平行于绝缘层表面的平面上，至少一个第一齿条远离第一柄齿的一端的投影位于两个第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个第二齿条远离第二柄齿的一端的投影位于两个第一齿条的投影的齿隙内。上述发光晶体管的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。
发光晶体管及其制备方法

[发明专利]增反膜光栅结构、电致发光器件及其制作方法-CN201811598470.7有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种增反膜光栅结构、电致发光器件及其制作方法。该增反膜光栅通过设置依次层叠且交替设置的高折射率介质层和低折射率介质层，形成增反组合膜，经相应介质层上下两表面反射的两束反射光后相互叠加形成的干涉相长，反射光增强。并且增反组合膜中设有多个透光狭缝形成光栅，这样会有一部分光射入透光狭缝，并经反射结构层反射，该反射的光与前面经多层介质层反射的光构成相邻的两束光，该两束光会同步发生相长形成明条纹，进一步增强整体的反射光。该增反膜光栅结构针对电致发光器件的侧面进行结构设计，可以降低相应的波导模式，有利于增强电致发光器件的出光效率。
增反膜光栅结构电致发光器件及其制作方法

[发明专利]像素结构及显示器件-CN202010735602.7在审
发明人： 柯秋坛;朱金华 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种上述像素结构及具有该像素结构的显示器件，像素结构中子像素具有主体区以及至少一个引流凸起区，所述子像素的引流凸起区位于主体区边缘，并朝向相邻且颜色相同的子像素凸出。在进行喷墨打印工艺时，引流凸起区能够作为引流通道，使墨滴落入像素坑内时由于液滴的铺展作用往凸起处流动，减少墨滴向其他方向的溢出，从而减少与相邻非同色的子像素的发生液滴桥联，减轻或消除不同颜色的子像素之间的混色问题。
像素结构显示器件

[发明专利]光电晶体管及其制作方法-CN201910817838.2在审
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电晶体管，包括基板、栅极层、栅极绝缘层以及有源层；栅极层设置在基板上，栅极绝缘层设置在栅极层远离基板的一侧，栅极绝缘层含有绝缘材料和光致变色材料，有源层设置在栅极绝缘层远离栅极层的一侧。光电晶体管及其制作方法，在栅极绝缘层中添加光致变色材料，光致变色反应可引起分子极化性质发生改变，偶极矩增加，使其介电性质发生改变，栅极绝缘层发生可逆的颜色及电容值变化，从而实现能够通过光照调控的变色光电晶体管，同时减少分子结构变化的偶极矩变化与有机层中载流子的相互作用，提高载流子的传输效率。
光电晶体管及其制作方法

[实用新型]一种打印机模组及打印装置-CN201921792475.3有效
发明人： 柯秋坛 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种打印机模组及打印装置。其中打印机模组包括喷墨组件、墨水喷头、溶剂组件和雾化喷头。本实用新型的打印机模组采用单独设置喷墨组件和溶剂组件，其中，喷墨组件用于打印基板，而溶剂组件用于减缓基板上的墨水的挥发速度，其中，喷墨组件单独设置为一个墨水喷头，喷墨组件通过墨水喷头向外释放墨水，对工作台上的基板进行喷墨打印，同时，溶剂组件单独设置为一个雾化喷头，溶剂组件通过雾化喷头向外释放溶剂，使基板上的墨水处于雾化溶剂的氛围内，减缓基板上墨水的挥发速度，使整个打印过程中，基板边缘的像素不会快速干化，雾化喷头可以有效节省溶剂的使用量，而不会影响溶剂对墨水的效果。
一种打印机模组打印装置

[发明专利]一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用-CN201810654056.7在审
发明人：刘川;郑集文;王昭桂;李敏敏;柯秋坛 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用，包括在衬底上制备栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，所述有源层为镓锡氧化物半导体薄膜。本发明的镓锡氧化物半导体薄膜晶体管，摒弃了目前主流氧化物半导体中常用的锌、铟等稀有金属，仅采用镓锡金属盐溶液即制备出高性能、低成本、稳定的氧化物半导体薄膜晶体管。本发明提供的镓锡氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，电子迁移率可达8cm²/(V·s)以上；并且可以通过调节Ga元素和Sn元素的含量来调节载流子迁移率，并使阈值电压在‑20V到20V的范围内变化。
锡氧化物半导体薄膜晶体管制备方法和应用电子迁移率源层制备氧化物半导体薄膜氧化物半导体载流子迁移率半导体薄膜稀有金属栅绝缘层阈值电压低成本锡金属盐溶液源漏极晶体管衬底主流

[发明专利]一种镓锡氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用-CN201810651370.X在审
发明人：刘川;郑集文;王昭桂;李敏敏;柯秋坛 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓锡氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用，所述方法如下：S1：将镓金属盐和锡金属盐混合溶解于溶剂中，于加热条件下搅拌，然后室温熟化得前驱体溶液备用；S2：将S1所述前驱体溶液沉积在亲水预处理后的衬底上得半导体薄膜，对半导体薄膜进行退火处理即得所述镓锡氧化物半导体薄膜；其中，S1中，所述镓元素和锡元素的摩尔比为0.5～1.5：1，所述前驱体溶液中金属元素的浓度为0.05～0.5mol/L。本发明提供的镓锡氧化物半导体薄膜制备得到的晶体管具有好的电学性能、高的偏压稳定性和较低的成本，还可以通过调节镓元素和锡元素的含量来调节载流子迁移率，以及阈值电压等电学特性。
半导体薄膜锡氧化物前驱体溶液制备方法和应用锡元素镓元素预处理载流子迁移率电学特性电学性能加热条件金属元素室温熟化退火处理阈值电压晶体管摩尔比锡金属盐混合镓金属溶剂衬底亲水沉积制备备用溶解

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