[发明专利]半导体衬底及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201410474198.7 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105489580B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈天赐;王圣民;陈光雄;李育颖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体衬底及半导体封装结构。所述半导体衬底包括：绝缘层、第一线路层及多个导电凸块。所述绝缘层具有第一表面，所述第一线路层设置于邻近所述绝缘层的所述第一表面上。所述导电凸块设置于所述第一线路层上，每一导电凸块具有第一宽度及第二宽度，沿所述第一宽度延伸的第一方向垂直于沿所述第二宽度延伸的第二方向，且所述第一宽度大于所述第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其包括：绝缘层，其具有第一表面；第一线路层，其设置于邻近所述绝缘层的所述第一表面上，所述第一线路层具有至少一第一导电迹线；以及多个导电凸块，其设置于所述第一线路层上，每一导电凸块具有第一宽度及第二宽度，沿所述第一宽度延伸的第一方向垂直于沿所述第二宽度延伸的第二方向，且所述第一宽度大于所述第二宽度，其中所述导电凸块的所述第二宽度在任意位置处皆小于所述第一导电迹线的宽度。
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