[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410430805.X | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105470293B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 林静龄;黄志森;洪庆文;吴家荣;张宗宏;李怡慧;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底、一第一金属栅极设于基底上、一第一硬掩模设于第一金属栅极上、一层间介电层设于第一金属栅极上并环绕该第一金属栅极以及一图案化的金属层镶嵌于层间介电层中，其中图案化的金属层的上表面低于第一硬掩模的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底包含第一金属栅极与第二金属栅极设于其上，一第一硬掩模设于该第一金属栅极上与一第二硬掩模设于该第二金属栅极上，以及一第一层间介电层环绕该第一金属栅极与该第二金属栅极；利用该第一硬掩模及该第二硬掩模去除部分该第一层间介电层以形成一凹槽；以及形成一图案化的金属层于该凹槽内，其中该图案化的金属层的上表面低于该第一硬掩模及该第二硬掩模的上表面。
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