[发明专利]具有掩埋绝缘层的FinFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201410344757.2 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104576735B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;陈冠霖;王昭雄;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有掩埋绝缘层的FinFET及其形成方法。公开了一种适用于FinFET并具有掩埋绝缘层的鳍结构。在示例性实施例中，半导体器件包括衬底，该衬底具有第一半导体材料并具有在该衬底上形成的鳍结构。鳍结构包括邻近衬底的较低区域；设置在较低区域上的第二半导体材料；设置在第二半导体材料上的第三半导体材料；以及选择性地设置在第二半导体材料上的绝缘材料，使得绝缘材料将鳍结构的沟道区电隔离并进一步地使得绝缘材料在沟道区上施加应变。半导体器件还包括邻近鳍结构设置的隔离部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 绝缘 finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括第一半导体材料并具有设置在所述衬底上的鳍结构，其中，所述鳍结构包括：邻近所述衬底的较低区域；设置在所述较低区域上的第二半导体材料，其中，所述第二半导体材料包括原子百分比介于20％和45％之间的Ge；设置在所述第二半导体材料上的第三半导体材料；和绝缘材料，选择性地设置在所述第二半导体材料上使得所述绝缘材料将所述鳍结构的沟道区电隔离并进一步地使得所述绝缘材料在所述沟道区上施加应变；以及邻近所述鳍结构设置的隔离部件。
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