[发明专利]面阵传感器装置及其形成方法有效
申请号: | 201410284272.9 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN105336752B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 林崴平 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种面阵传感器装置及其形成方法,面阵传感器装置包括:驱动电路和传感器电路,驱动电路和传感器电路形成在同一个衬底表面上,所述传感器电路包括由像素单元组成的像素单元阵列和连接所述像素单元的驱动线,所述驱动电路的输出端连接所述传感器电路的驱动线,所述驱动电路包括第一晶体管,所述像素单元包括第二晶体管;所述第一晶体管包括第一遮挡层,第二晶体管包括第二遮挡层。本发明技术方案的面阵传感器装置,驱动电路与传感器电路的器件可以制作在同一个衬底上,减小了占用面积,提高了可靠性,并且形成过程可以同步进行,无需增加额外工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 传感器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种面阵传感器装置,其特征在于,包括:驱动电路和传感器电路,驱动电路和传感器电路形成在同一个衬底表面上,所述传感器电路包括由像素单元组成的像素单元阵列和连接所述像素单元的驱动线,所述驱动电路的输出端连接所述传感器电路的驱动线,所述驱动电路包括第一晶体管和第二电容,所述像素单元包括第二晶体管;所述第一晶体管包括:第一导电层,位于所述衬底表面;第一绝缘层,覆盖所述第一导电层;第一半导体层,位于所述第一绝缘层表面,所述第一半导体层与所述第一导电层相对应;第二导电层,覆盖所述第一半导体层,所述第二导电层内具有第一开口,所述第一开口暴露所述第一半导体层的部分表面;第二绝缘层,覆盖所述第二导电层并充满所述第一开口;第一遮挡层,位于所述第二绝缘层表面,所述第一遮挡层与所述第一开口相对应;所述第二晶体管包括:第三导电层,位于所述衬底表面;第三绝缘层,覆盖所述第三导电层;第二半导体层,位于所述第三绝缘层表面,所述第二半导体层与所述第三导电层相对应;第四导电层,覆盖所述第二半导体层,所述第四导电层内具有第二开口,所述第二开口暴露所述第二半导体层的部分表面;第四绝缘层,覆盖所述第四导电层并充满所述第二开口;第二遮挡层,位于所述第四绝缘层表面,所述第二遮挡层与所述第二开口相对应;所述第二导电层和所述第一导电层的相对部分形成所述第二电容;所述第一遮挡层和第二遮挡层均连接至固定电位。
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- 本发明提供一种图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法。所述隔离结构的形成方法包括:提供基底,所述基底中设置有多个分立的像素区域;在所述基底中形成多个分立的第一沟槽,所述第一沟槽位于相邻的像素区域之间,且所述第一沟槽的开口位于所述基底的第一表面;形成多个分立的第一隔离结构,所述第一隔离结构位于所述第一沟槽内,且所述第一隔离结构未填充满所述第一沟槽;以及形成多个分立的第二隔离结构,所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构的表面,且所述第二隔离结构的一部分位于所述第一沟槽内。所述隔离结构及其形成方法、所述图像传感器及其形成方法能够降低像素区域之间的光线串扰。
- 图像传感器及其形成方法-201910726407.5
- 阿久津良宏 - 德淮半导体有限公司
- 2019-08-07 - 2019-11-01 - H01L27/146
- 一种图像传感器及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底中形成初始光电掺杂区;在初始光电掺杂区内形成相互分立的初始隔离区,所述初始隔离区内掺杂有第一离子和第二离子,第一离子的导电类型和初始光电掺杂区的导电类型相反,第二离子的导电类型和和初始光电掺杂区的导电类型相同,且第二离子的扩散速率大于第一离子的扩散速率;进行热处理,使初始隔离区内的第一离子和第二离子扩散,在初始光电掺杂区内形成主光电掺杂区、相互分立的隔离区以及相互分立的附加光电掺杂区,所述附加光电掺杂区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相同,所述隔离区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相反。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
- 图像传感器及其形成方法-201910754167.X
- 吴明;郭松辉;林宗贤;孙明亮;朱晓彤 - 德淮半导体有限公司
- 2019-08-15 - 2019-11-01 - H01L27/146
- 一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底;凸透镜,位于所述半导体衬底的表面;凸透曲面结构,位于所述凸透镜的表面;其中,所述凸透曲面结构的上表面与下表面均为曲面,且所述上表面的曲率半径小于下表面的曲率半径;所述凸透曲面结构的上表面为远离所述半导体衬底的表面,所述凸透曲面结构的下表面为邻近所述半导体衬底的表面。本发明方案有利于降低光线串扰,并且提高光电转换的效率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的