[发明专利]具有全环式接触件的FinFET有效
| 申请号： | 201410281068.1 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104979396B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的半导体鳍；位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅叠件；位于栅叠件一侧的源极/漏极区；以及环绕源极/漏极区的一部分的接触插塞。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 全环式 接触 finfet | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底；半导体鳍，位于所述半导体衬底上方；栅叠件，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；源极/漏极区，位于所述栅叠件的侧面；以及接触插塞，环绕所述源极/漏极区的第一部分，其中，所述源极/漏极区还包括与所述第一部分分隔的第二部分。
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