[发明专利]横向双扩散场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410260908.6 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105448979B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;曹国豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种横向双扩散场效应管及其形成方法，横向双扩散场效应管包括：半导体衬底，半导体衬底中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于半导体衬底内的第一浅沟槽隔离结构；位于半导体衬底内的漂移区，漂移区包围第一浅沟槽隔离结构，所述漂移区中掺杂有第二导电类型的杂质离子，第二导电类型与第一导电类型相反；位于所述漂移区内的反型掺杂区，反型掺杂区的深度小于漂移区的深度，反型掺杂区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于漂移区一侧的半导体衬底内的体区，体区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于半导体衬底上形成栅极结构，栅极结构的一端延伸至体区的上方，另一端延伸至第一浅沟槽隔离结构上方。横向双扩散场效应管的栅漏寄生电容减小。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 漂移区 第一导电类型 横向双扩散 场效应管 杂质离子 浅沟槽隔离结构 反型掺杂 掺杂 体区 导电类型 栅极结构 栅漏寄生电容 漂移 延伸 减小 包围 | ||
【主权项】：
1.一种横向双扩散场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中掺杂有第一导电类型的杂质离子；在所述半导体衬底内形成第一浅沟槽隔离结构；进行第一离子注入，向所述半导体衬底中注入第二导电类型的杂质离子，在所述半导体衬底内形成漂移区，漂移区包围第一浅沟槽隔离结构，第二导电类型与第一导电类型相反；进行反型离子注入，在漂移区内注入第一导电类型的杂质离子，在所述漂移区内形成反型掺杂区，反型掺杂区的深度小于漂移区的深度；在漂移区一侧的半导体衬底内形成体区，所述体区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至体区的上方，另一端延伸至第一浅沟槽隔离结构上方；在进行反型离子注入之前，还包括：进行第二离子注入，在所述半导体衬底中注入第二导电类型的杂质离子，在所述半导体衬底内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区包括相连接的第一部分和第二部分，第一部分位于漂移区内，第二部分位于漂移区外的半导体衬底内，且所述第一掺杂区的深度小于漂移区的深度，且所述反型掺杂区位于第一掺杂区和漂移区的重合区域内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410260908.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：地址自动分配的串行总线通信方法与系统
- 下一篇：电触点和触头
- 同类专利
- 专利分类
