[发明专利]横向双扩散场效应管及其形成方法

说明书

一种横向双扩散场效应管及其形成方法，横向双扩散场效应管包括：半导体衬底，半导体衬底中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于半导体衬底内的第一浅沟槽隔离结构；位于半导体衬底内的漂移区，漂移区包围第一浅沟槽隔离结构，所述漂移区中掺杂有第二导电类型的杂质离子，第二导电类型与第一导电类型相反；位于所述漂移区内的反型掺杂区，反型掺杂区的深度小于漂移区的深度，反型掺杂区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于漂移区一侧的半导体衬底内的体区，体区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；位于半导体衬底上形成栅极结构，栅极结构的一端延伸至体区的上方，另一端延伸至第一浅沟槽隔离结构上方。横向双扩散场效应管的栅漏寄生电容减小。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种横向双扩散场效应管及其形成方法。

背景技术

功率场效应管主要包括垂直双扩散场效应管(VDMOS，Vertical Double-DiffusedMOSFET)和横向双扩散场效应管(LDMOS，Lateral Double-Diffused MOSFET)两种类型。其中，相较于垂直双扩散场效应管(VDMOS)，横向双扩散场效应管(LDMOS)具有诸多优点，例如，后者具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路。

现有技术中，一种常规的N型横向双扩散场效应管结构如图1所示，包括：半导体衬底(图中未示出)，位于半导体衬底中的P阱100；位于P阱100内的N型漂移区101；位于N型漂移区101中的浅沟槽隔离结构104，所述浅沟槽隔离结构104用于增长横向双扩散场效应管导通的路径，以增大横向双扩散场效应管的击穿电压；位于N型漂移区101一侧的P阱100内的P型体区106；位于半导体衬底上的栅极结构105，所述栅极结构105横跨所述P型体区106和N型漂移区101，并部分位于浅沟槽隔离结构104上，所述栅极结构105包括位于半导体衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅电极、位于栅介质层和栅电极两侧侧壁上的侧墙；位于栅极结构105一侧的P型体区106内的源区102，和位于栅极机构105的另一侧的N型漂移区101内的漏区103，源区102和漏区103的掺杂类型为N型。

但是现有的横向双扩散场效应管的性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是怎样提高横向双扩散场效应管的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种横向双扩散场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中掺杂有第一导电类型的杂质离子；在所述半导体衬底内形成第一浅沟槽隔离结构；进行第一离子注入，向所述半导体衬底中注入第二导电类型的杂质离子，在所述半导体衬底内形成漂移区，漂移区包围第一浅沟槽隔离结构，第二导电类型与第一导电类型相反；进行反型离子注入，在漂移区内注入第一导电类型的杂质离子，在所述漂移区内形成反型掺杂区，反型掺杂区的深度小于漂移区的深度；在漂移区一侧的半导体衬底内形成体区，所述体区中掺杂有第一导电类型的杂质离子；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至体区的上方，另一端延伸至第一浅沟槽隔离结构上方。

可选的，在进行反型离子注入之前，还包括：进行第二离子注入，在所述半导体衬底中注入第二导电类型的杂质离子，在所述半导体衬底内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区包括相连接的第一部分和第二部分，第一部分位于漂移区内，第二部分位于漂移区外的半导体衬底内，且所述第一掺杂区的深度小于漂移区的深度。

可选的，所述反型掺杂区的深度小于第一掺杂区的深度。

可选的，所述第二离子注入的注入角度为15～45度，能量为150Kev～250Kev，剂量为1E12atom/cm²～1.5E13atom/cm²。

可选的，所述反型离子注入的注入角度为0～7度，能量为30Kev～100Kev，剂量为1E12atom/cm²～1.5E13atom/cm²。