[发明专利]法兰、半导体功率器件和集成电路板在审
| 申请号： | 201410126149.4 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103871972A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋然;饶杰 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/04;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种法兰、一种半导体功率器件和一种集成电路板，所述法兰包括法兰本体和嵌入所述法兰本体的嵌件，其中：所述法兰本体具有与芯片相连接且用于导出所述芯片热量的散热锥台区和位于所述散热锥台区外侧的非散热区；所述嵌件位于所述非散热区中，且所述嵌件的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数之差的绝对值小于设定值。采用本发明实施例提供的技术方案，可利用法兰本体的散热锥台区高效地将芯片产生的热量导出，同时降低法兰与芯片热膨胀的失配程度，减小法兰与芯片之间的热应力，提高法兰与芯片连接的机械可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 法兰 半导体 功率 器件 集成 电路板 | ||
【主权项】：
一种法兰，其特征在于，包括法兰本体和嵌入所述法兰本体的嵌件，其中：所述法兰本体具有与芯片相连接且用于导出所述芯片热量的散热锥台区和位于所述散热锥台区外侧的非散热区；所述嵌件位于所述非散热区中，且所述嵌件的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数之差的绝对值小于设定值。
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