[发明专利]法兰、半导体功率器件和集成电路板在审
申请号: | 201410126149.4 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103871972A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 蒋然;饶杰 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/04;H01L23/31 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 法兰 半导体 功率 器件 集成 电路板 | ||
1.一种法兰,其特征在于,包括法兰本体和嵌入所述法兰本体的嵌件,其中:
所述法兰本体具有与芯片相连接且用于导出所述芯片热量的散热锥台区和位于所述散热锥台区外侧的非散热区;
所述嵌件位于所述非散热区中,且所述嵌件的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数之差的绝对值小于设定值。
2.根据权利要求1所述的法兰,其特征在于,所述嵌件为两个嵌条,所述两个嵌条分别位于所述非散热区中、处于所述芯片的两侧的区域,且所述两个嵌条位置相对。
3.根据权利要求1所述的法兰,其特征在于,所述嵌件为嵌环,所述嵌环位于所述非散热区中、处于所述芯片的周侧的区域。
4.根据权利要求1至3任一项所述的法兰,其特在于,所述嵌件贯穿所述非散热区。
5.根据权利要求1至3任一项所述的法兰,其特征在于,所述嵌件未贯穿所述非散热区,所述嵌件和所述芯片位于所述非散热区的同一侧表面,或者所述嵌件和所述芯片分别位于所述非散热区的两侧表面。
6.根据权利要求1至5任一项所述的法兰,其特征在于,所述设定值是根据芯片的材质、芯片的尺寸和应用环境温度确定的。
7.根据权利要求1至6任一项所述的法兰,其特征在于,
所述法兰本体的材质包括金、银或铜;
所述嵌件的材质包括钼、钨、铁镍钴合金、铁镍合金、镍、钨铜合金、钼铜合金、石墨或陶瓷。
8.根据权利要求1至7任一项所述的法兰,其特征在于,所述嵌件与所述法兰本体焊接连接,所述焊接的焊料包括银铜合金焊料。
9.一种半导体功率器件,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的法兰以及连接于所述法兰上的芯片。
10.一种集成电路板,其特征在于,包括印刷电路板、散热器以及如权利要求9所述的半导体功率器件,其中:
所述印刷电路板具有连接引脚以及法兰装配孔;
所述半导体功率器件的引脚与所述连接引脚对应连接,所述半导体功率器件中的法兰与所述法兰装配孔装配连接;
所述散热器与所述半导体功率器件中的法兰连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410126149.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多功能水箱及内箱与外箱的均温方法
- 下一篇:半导体装置的制造方法