[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201410080425.8 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104051359B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林义闵;张义民;张恕铭;何彦仕;刘沧宇;郑家明 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。本发明有助于晶片封装体的缩小化，且可使晶片封装体的可靠度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。
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