[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；

一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；

一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；

一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；

一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及

一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该四边形具有至少一圆角。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该四边形为一长方形。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该至少一孔洞贯穿该金属遮光层。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该金属遮光层的材质相同于该导线层的材质。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该金属遮光层的厚度相同于该导线层的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该至少一孔洞包括多个孔洞，且所述孔洞的尺寸或形状彼此不同。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该至少一孔洞包括多个孔洞，且所述孔洞的尺寸或形状彼此大抵相同。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，所述孔洞大抵均匀分布于该金属遮光层之中。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一介电层，位于该第一表面与该绝缘层之间；

一元件区，形成于该半导体基底之中；以及

多个导电垫，位于该介电层之中，其中该导线层电性连接其中一所述导电垫。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该金属遮光层在该第一表面上的一投影位于该元件区在该第一表面上的一投影与所述导电垫在该第一表面上的投影之间。

12.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该金属遮光层电性连接该介电层中的一接地导电垫。

13.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一焊线，该焊线电性接触该第二凹陷的该第二底部正上方的该导线层。

14.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线层不电性接触该金属遮光层。

15.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；

一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；

一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；

一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；

一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及

一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一三边形、一五边形、一六边形或一七边形。

16.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供至少一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面；

自该第一表面移除部分的该半导体基底以于该半导体基底之中形成一第一凹陷及一第二凹陷，其中该第一凹陷朝该第二表面延伸，而该第二凹陷自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸；

于该第一表面上形成一绝缘层，该绝缘层延伸进入该第一凹陷及该第二凹陷；

于该绝缘层上形成一导线层，该导线层延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；

于该绝缘层上形成一金属遮光层，该金属遮光层具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形；以及

沿着该半导体基底的至少一预定切割道进行一切割制程以形成至少一晶片封装体，其中在该切割制程之后，该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面。