[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明是有关于晶片封装体，且特别是有关于采用晶圆级封装制程制作的晶片封装体。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

由于电子产品缩小化的需求仍持续，如何于有限空间中设置更多的导电线路成为重要课题。此外，亦有避免外界光线影响晶片封装体的运作的需求。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。

本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一三边形、一五边形、一六边形或一七边形。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供至少一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；自该第一表面移除部分的该半导体基底以于该半导体基底之中形成一第一凹陷及一第二凹陷，其中该第一凹陷朝该第二表面延伸，而该第二凹陷自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸；于该第一表面上形成一绝缘层，该绝缘层延伸进入该第一凹陷及该第二凹陷；于该绝缘层上形成一导线层，该导线层延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；于该绝缘层上形成一金属遮光层，该具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形；以及沿着该半导体基底的至少一预定切割道进行一切割制程以形成至少一晶片封装体，其中在该切割制程之后，该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面。

本发明有助于晶片封装体的缩小化，且可使晶片封装体的可靠度提升。

附图说明

图1A-1D显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2显示根据本发明一实施例的晶片封装体的俯视图。

图3显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图4A及4B分别显示根据本发明实施例的晶片封装体的局部俯视图。

附图中符号的简单说明如下：

100～基底；100a、100b～表面；101～介电层；102～元件区；104a、104G～导电垫；116～绝缘层；117～金属层；118～导线层；130a、130b～凹陷；204～焊线；260a、260b～金属遮光层；262～孔洞；302～容器；304～蚀刻液；306～放置台；SC～预定切割道。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，本发明可能于许多实施例重复使用标号及/或文字。此重复仅为了简化与清楚化，不代表所讨论的不同实施例之间必然有关联。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。为了简单与清楚化，许多结构可能会绘成不同的尺寸。