[发明专利]一种功率半导体用新型金属-陶瓷绝缘基板有效
| 申请号： | 201410034557.7 | 申请日： | 2014-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794571B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋静超 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/498 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种功率半导体用新型金属‑陶瓷绝缘基板，它主要由陶瓷基板、第一金属覆和层和第二金属覆和层组成，其中材料的热膨胀系数关系是：第一金属覆和层＞第二金属覆和层＞陶瓷基板；所述的第一金属覆和层选用金属铜，第二金属覆和层选用Ni/Cu合金，通过高温烧结等使金属与陶瓷基板间形成共价键；所述的第一金属覆和层在蚀刻后的热膨胀系数＞第二金属覆和层，并使绝缘基板总体呈向第二金属覆和层一侧弯曲的状态；它可以克服普通绝缘基板在焊接半导体芯片后向上凸起而造成其整体再焊接到散热基体上焊接层不良的技术难点，从而更好的提高了此类产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 新型 金属 陶瓷 绝缘 | ||
【主权项】：
一种功率半导体用金属‑陶瓷绝缘基板，它主要由陶瓷基板、第一金属覆和层和第二金属覆和层组成，其特征在于其中材料的热膨胀系数关系是：第一金属覆和层＞第二金属覆和层＞陶瓷基板；所述的第一金属覆和层选用金属Cu，第二金属覆和层选用Ni/Cu合金，所述的第一金属覆和层在蚀刻后的热膨胀系数＞第二金属覆和层，并使绝缘基板总体呈向第二金属覆和层一侧凸起的状态。
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