[发明专利]半导体电路板及其制造方法和使用其的半导体装置在审
| 申请号： | 201380051959.1 | 申请日： | 2013-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN104718615A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 加藤宽正;星野政则 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体电路板，其中导体部分设置在绝缘衬底上，其中所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度Rz是2.0μm或更小，并且按算术平均波纹度Wa是0.5μm或更低。另外，假定绝缘衬底的厚度是t1并且导体部分的厚度是t2，厚度t1和t2满足关系：0.1≤t2/t1≤50。由于上述结构，即使半导体元件的热产生量增加，也可以提供具有优异的TCT特性的半导体电路板和半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路板 及其 制造 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体电路板，其中导体部分设置在绝缘衬底上，其中所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度Rz是2.0μm或更小，并且按算术平均波纹度Wa是0.5μm或更低。
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