[发明专利]半导体电路板及其制造方法和使用其的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体电路板，其中导体部分设置在绝缘衬底上，其中所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度Rz是2.0μm或更小，并且按算术平均波纹度Wa是0.5μm或更低。

2.根据权利要求1所述的半导体电路板，其中假定所述绝缘衬底的厚度是t1并且所述导体部分的厚度是t2，所述厚度t1和t2满足关系：0.1≤t2/t1≤50。

3.根据权利要求1或2所述的半导体电路板，其中所述导体部分的侧面边缘的截面角度是45°或更小。

4.根据权利要求1到3的任意一个所述的半导体电路板，其中所述导体部分由金属板制成，而所述绝缘衬底由陶瓷衬底制成，并且用于接合所述金属板和所述陶瓷衬底的结合层的从所述金属板突出的区域(宽度)是0.2mm或更小。

5.根据权利要求1到4的任意一个所述的半导体电路板，其中所述绝缘衬底由氧化铝衬底、氮化铝衬底、氮化硅衬底、和绝缘树脂衬底中的一个构成。

6.根据权利要求1到5的任意一个所述的半导体电路板，其中所述导体部分由铜、铜合金、铝和铝合金中的一个构成。

7.一种半导体装置，其中半导体元件被安装到根据权利要求1到6的任意一个所述的半导体电路板的导体部分上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体元件包括从由Si元件、GaN元件、和SiC元件组成的组中选出的一个或多于一个元件。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中所述半导体元件使用置于其间的结合材料结合到所述导体部分。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中所述半导体元件在不使用置于其间的结合材料的情况下直接结合到所述导体部分。

11.一种用于制造半导体电路板的方法，包括：

在绝缘衬底上形成导体部分的导体部分形成步骤；

将所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度设定为按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度是2.0μm或更小，并且按算术平均波纹度Wa是0.5μm或更低的表面处理步骤；以及

将半导体元件结合到所述导体部分的所述半导体元件安装部的结合步骤。

12.根据权利要求11所述的制造半导体电路板的方法，其中所述表面处理步骤是抛光步骤。

13.根据权利要求12所述的制造半导体电路板的方法，其中所述抛光步骤是刻蚀步骤。

14.根据权利要求12所述的制造半导体电路板的方法，其中所述抛光步骤是压制工艺。