[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

摘要

在SiC半导体装置的制造方法中，通过外延生长在沟槽(6)内形成p型层(31)之后，通过氢蚀刻，将p型层(31)仅保留在沟槽(6)的底部及两末端部，从而形成p型SiC层(7)。即，去除p型层(31)中形成在沟槽(6)的侧面的部分。由此，能够不通过倾斜离子注入来形成p型SiC层(7)。因此，不需要另行进行倾斜离子注入，因此能够抑制移动离子注入装置等制造工序变得麻烦的情况，能够抑制制造成本。此外，还没有离子注入引起的缺陷损坏，因此能够抑制漏极泄漏，能够切实地防止在沟槽(6)的侧面残留p型SiC层(7)。因此，能够制造能够同时实现高耐压和高开关速度的SiC半导体装置。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，该碳化硅半导体装置使用在第1导电型或第2导电型的碳化硅基板(1)的主表面上所形成的由碳化硅构成的第1导电型的漂移层(2)上形成有由碳化硅构成的第2导电型的基极区域(3)、并且在上述基极区域的上方形成有由碳化硅构成的第1导电型的源极区域(4)而成的半导体基板，并且该碳化硅半导体装置具备半导体开关元件，该半导体开关元件在比上述基极区域深的沟槽(6)内形成有栅绝缘膜(8)，且在该栅绝缘膜上形成栅电极(9)，从而构成沟槽栅构造，具有与上述源极区域及上述基极区域电连接的源电极(11)、以及与上述碳化硅基板的背面电连接的漏电极(12)，上述碳化硅半导体装置的制造方法包括以下工序：沟槽蚀刻工序，通过蚀刻，形成贯通上述源极区域及上述基极区域而到达上述漂移层、且将一个方向设为长边方向的线状的上述沟槽；以及通过外延生长，在上述沟槽内形成第2导电型的碳化硅层(31)之后，通过进行氢蚀刻，将碳化硅层仅保留在上述沟槽的底部及该沟槽的长边方向的末端部，从而形成具有位于上述沟槽的底部的圆弧形状底部层(7a)和位于该沟槽的末端部的圆弧形状末端层(7b)的第2导电型层(7)的工序。