[发明专利]半导体层叠结构体和半导体元件

摘要

本发明提供具有Ga₂O₃基板和Ga₂O₃基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga₂O₃基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga₂O₃晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga₂O₃基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

主权项

一种半导体层叠结构体，其特征在于，具有：基板，其包含将从(‑201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面的β‑Ga₂O₃晶体；以及氮化物半导体层，其包含在上述基板的上述主面上通过晶体外延生长而形成的Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。