[实用新型]一种改善半导体芯片封装可靠性的结构有效
| 申请号： | 201320699351.7 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN203707118U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冯建中;唐冕 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种改善半导体芯片封装可靠性的结构，该结构层从上至下包括玻璃层(31)、支撑结构层(32)、空腔层(33)、硅基层(34)、金属层(35)与阻焊层(36)，其特征在于，所述支撑结构层(32)、硅基层(34)与金属层(35)的边缘被所述阻焊层(36)包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层(31)与所述阻焊层(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 芯片 封装 可靠性 结构 | ||
【主权项】：
一种改善半导体芯片封装可靠性的结构，该结构层从上至下包括玻璃层(31)、支撑结构层(32)、空腔层(33)、硅基层(34)、金属层(35)与阻焊层(36)，其特征在于，所述支撑结构层(32)、硅基层(34)与金属层(35)的边缘被所述阻焊层(36)包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层(31)与所述阻焊层(36)。
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