[发明专利]半导体封装、系统及其形成方法有效
| 申请号： | 201310757183.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855102A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | U·奥塞莱希纳;V·施特鲁茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体封装、系统及其形成方法。根据本发明的实施例，一种半导体封装包括电流轨条，该电流轨条包含第一接触区域和第二接触区域、第一凹槽和第二凹槽、以及磁场产生部分。沿着电流流动方向，该第一凹槽布置在第一接触区域和磁场产生部分之间，并且第二凹槽布置在磁场产生部分和第二接触区域之间。在第一凹槽处电流轨条的厚度小于在第一接触区域处电流轨条的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 系统 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：电流轨条，该电流轨条包括第一接触区域和第二接触区域、第一凹槽和第二凹槽、以及磁场产生部分，其中，沿着电流流动方向，所述第一凹槽布置在所述第一接触区域和所述磁场产生部分之间，以及所述第二凹槽布置在所述磁场产生部分和所述第二接触区域之间，其中在所述第一凹槽处所述电流轨条的厚度小于在所述第一接触区域处所述电流轨条的厚度。
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