[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310757047.8 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103904131B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n‑型外延层；设置在n‑型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n‑型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n‑型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n‑型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。 1 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 碳化硅 衬底 第一表面 肖特基势垒二极管 肖特基二极管 肖特基电极 第二表面 欧姆电极 分隔 垂直 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒二极管，包括：n‑型外延层，被设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；多个n型柱区，被设置在所述n‑型外延层内，且被间隔地设置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上；p型区域，设置在所述n‑型外延层内，且在垂直于所述n型柱区的方向上延伸；多个P+区域，设置在所述n‑型外延层的表面上，且与所述n型柱区和p型区域分开；肖特基电极，设置在所述n‑型外延层和所述P+区域上；欧姆电极，设置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中所述p型区域被设置在所述n型柱区的上表面和所述n+型碳化硅衬底的第一表面之间，并且所述第一表面和所述第二表面相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社，未经现代自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310757047.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：剥线装置
- 下一篇：可伸展、无溶剂、完全非晶形固体电解质薄膜
- 同类专利
- 专利分类
