[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310654629.3 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103871989A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 门口卓矢 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置。根据本发明的半导体装置（1）包括：平板形式的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于半导体元件（2）的第一表面侧上的控制布线（4）；金属块（8），所述金属块经由焊料层接合到半导体元件（2）的第一表面侧；和保护膜（7a），所述保护膜形成在金属块（8）和绝缘层（6）之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或者大于金属块（8）的硬度。当从第一表面侧观察时，保护膜（7a）形成在至少包括金属块（8）的边缘部分和控制布线（4）相互交叉的位置的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：平板状的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；控制布线（4）；绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于所述半导体元件的第一表面侧上的所述控制布线；焊料层（9）；金属块（8），所述金属块经由所述焊料层接合到所述半导体元件的所述第一表面侧；和保护膜（7a），所述保护膜形成在所述金属块和所述绝缘层之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或大于所述金属块的硬度，其中，当从所述第一表面侧观察时，所述保护膜至少形成在所述金属块（8）的边缘部分与所述控制布线（4）相互交叉的位置处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310654629.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
