[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

平板状的半导体元件（2），所述半导体元件具有相对的第一表面和第二表面；

控制布线（4）；

绝缘层（6），所述绝缘层覆盖位于所述半导体元件的第一表面侧上的所述控制布线；

焊料层（9）；

金属块（8），所述金属块经由所述焊料层接合到所述半导体元件的所述第一表面侧；和

保护膜（7a），所述保护膜形成在所述金属块和所述绝缘层之间，所述保护膜（7a）的硬度等于或大于所述金属块的硬度，

其中，当从所述第一表面侧观察时，所述保护膜至少形成在所述金属块（8）的边缘部分与所述控制布线（4）相互交叉的位置处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当从所述第一表面侧观察时，所述保护膜（7a）形成在包括所述金属块（8）的所述边缘部分与所述控制布线（4）相互交叉的位置的预定区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

主电极，所述焊料层（9）接合到所述主电极，并且所述主电极包括多个电极部分（3）；和

接合膜，

其中，所述控制布线（4）位于所述多个电极部分中的相邻的电极部分（3）之间，

所述绝缘层（6）具有对应于所述多个电极部分（3）的多个开口（6a）；并且

所述接合膜形成在所述多个开口（6a）中的每一个中，并且位于所述焊料层（9）和所述多个电极部分（3）中的每一个之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述接合膜和所述保护膜（7a）一体地形成。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述保护膜（7a）由与所述接合膜相同的材料形成。