[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310542825.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617093A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干第一栅极结构，以及位于所述半导体衬底表面与第一栅极结构表面齐平的牺牲层；形成覆盖所述牺牲层、第一栅极结构表面的绝缘层；刻蚀所述绝缘层，在所述相邻第一栅极结构之间的牺牲层表面形成第一开口，所述第一开口暴露出相邻第一栅极结构之间的牺牲层的部分表面；去除所述牺牲层；在半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面高于绝缘层的表面，相邻第一栅极结构之间的介质层内具有空气隙。上述方法形成的半导体器件可以降低相邻栅极结构之间的寄生电容，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干第一栅极结构，以及位于所述半导体衬底表面与第一栅极结构表面齐平的牺牲层；形成覆盖所述牺牲层、第一栅极结构表面的绝缘层；刻蚀所述绝缘层，在所述相邻第一栅极结构之间的牺牲层表面形成第一开口，所述第一开口暴露出相邻第一栅极结构之间的牺牲层的部分表面；去除所述牺牲层；在半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面高于绝缘层的表面，相邻第一栅极结构之间的介质层内具有空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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