[发明专利]切割具有硅穿通道的半导体晶圆的方法及其所形成的结构有效
| 申请号： | 201310452834.1 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103811458A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 花霈馨;张惠珊 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/78;B23K26/36;B23K26/364 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件、一种半导体封装结构及一种半导体工艺。该半导体工艺包含以下步骤：(a)提供一半导体晶圆，该半导体晶圆具有一第一表面、一第二表面及一钝化层；(b)施加一第一激光于该钝化层以移除该钝化层的一部分且显露该半导体晶圆的一部分；(c)施加一第二激光，其中该第二激光穿过该半导体晶圆的该第二表面且聚焦于该半导体晶圆的一内部分；及(d)施加一横向力于该半导体晶圆。藉此，可确保切割品质。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 具有 通道 半导体 方法 及其 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：一晶粒；至少一导电通道，形成于该晶粒中；一钝化层，位于该晶粒的一背面的一部分，其中该导电通道凸出于该钝化层；及一保护盖，位于该导电通道的凸出端；其中该钝化层具有一侧面，该侧面与该晶粒的该背面的一显露部份间的夹角大于90度，该显露部份是未被该钝化层所覆盖。
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