[发明专利]切割具有硅穿通道的半导体晶圆的方法及其所形成的结构

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一晶粒；

至少一导电通道，形成于该晶粒中；

一钝化层，位于该晶粒的一背面的一部分，其中该导电通道凸出于该钝化层；及

一保护盖，位于该导电通道的凸出端；

其中该钝化层具有一侧面，该侧面与该晶粒的该背面的一显露部份间的夹角大于90度，该显露部份是未被该钝化层所覆盖。

2.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该晶粒的该背面的该显露部份是位于沿着该晶粒的该背面的周围的位置。

3.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该晶粒的该背面的该显露部份具有一第一表面粗糙度，该钝化层的一上表面具有一第二表面粗糙度，该第一表面粗糙度实质上小于该第二表面粗糙度。

4.如权利要求3的半导体元件，其特征在于，该第一表面粗糙度为激光烧结的结果。

5.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该晶粒的一侧面具有一第一部份、一第二部份及一第三部份，该第一部份具有一第三表面粗糙度，该第二部份具有一第四表面粗糙度，且该第三部份具有一第五表面粗糙度；其中该第三表面粗糙度、该第四表面粗糙度及该第五表面粗糙度实质上不同。

6.如权利要求5的半导体元件，其特征在于，该第四表面粗糙度为隐形激光切割的结果。

7.如权利要求5的半导体元件，其特征在于，该第四表面粗糙度是大于该第一表面粗糙度至少50倍。

8.如权利要求5的半导体元件，其特征在于，该第三表面粗糙度及该第五表面粗糙度个别是大于该第一表面粗糙度。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半导体元件，位于该基板上，且包括：

一晶粒；

至少一导电通道，形成于该晶粒中；

一钝化层，位于该晶粒的一背面的一部分，其中该导电通道凸出于该钝化层；及

一保护盖，位于该导电通道的凸出端；

其中该钝化层具有一缺口部份，沿着该钝化层的周围，且该钝化层的一侧面与该晶粒的该背面形成的夹角为90度至115度；

一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上且电性连接至该导电通道；及

一封胶材料，包覆该基板、该第一半导体元件及该第二半导体元件。

10.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该保护盖包括一晶种层、位于该晶种层上的一铜层、位于该铜层上的一镍层、位于该镍层上的一钯层及位于该钯层上的一金层。

11.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该保护盖包括一晶种层、位于该晶种层上的一铜层、位于该铜层上的一镍层及位于该镍层上的一锡/银合金或一金层。

12.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该晶粒的该背面的未被该钝化层所覆盖的一部份具有一第一表面粗糙度，且该钝化层的一上表面具有一第二表面粗糙度，该第一表面粗糙度实质上小于该第二表面粗糙度。

13.如权利要求12的的半导体封装结构，其特征在于，该第一表面粗糙度为激光烧结的结果。

14.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该晶粒的一侧面具有一第一部份、一第二部份及一第三部份，该第一部份具有一第三表面粗糙度，该第二部份具有一第四表面粗糙度，且该第三部份具有一第五表面粗糙度，其中该第三表面粗糙度、该第四表面粗糙度及该第五表面粗糙度实质上不同。

15.如权利要求14的半导体封装结构，其特征在于，该第四表面粗糙度为隐形激光切割的结果。

16.如权利要求14的半导体封装结构，其特征在于，该第四表面粗糙度是大于该第一表面粗糙度至少50倍。

17.一种切割半导体晶圆的方法，其特征在于，包括：

提供一半导体晶圆，该半导体晶圆具有一第一表面、一第二表面及一钝化层，其中该钝化层是位于该第二表面；

施加一第一激光于该钝化层以移除该钝化层的一部分且显露该半导体晶圆的一部分；

施加一第二激光，其中该第二激光穿过该半导体晶圆的该第二表面且聚焦于该半导体晶圆的一内部分；及

施加一横向力于该半导体晶圆。