[发明专利]用于处理半导体工件的方法和装置

摘要

本发明提供了用于处理半导体工件的方法和装置，半导体工件具有正面和背面。该方法包括：将工件的背面放置在沉积室中的工件支架上，以使得工件的正面面朝沉积室以进行处理，沉积室具有相关的沉积室气体压强，并且背面与具有相关背部气体压强的背部区域流体流通；在第一沉积室压强P_c1和第一背压P_b1下执行工件处理步骤，其中，P_c1和P_b1引起压强差P_b1-P_c1，压强差P_b1-P_c1被维持以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触；以及，在第二沉积室压强P_c2和第二背压P_b2下执行工件冷却步骤，其中，P_c2和P_b2分别高于P_c1和P_b1，至少P_b2高至足以增强工件的冷却，并且其中，P_c2和P_b2引起压强差P_b2-P_c2，维持压强差P_b2-P_c2以避免工件与工件支架之间因压强致失去接触。

主权项

一种用于处理半导体工件的方法，所述半导体工件具有正面和背面，该方法包括步骤：i).将所述工件的所述背面放置在沉积室中的工件支架上，以使得所述工件的所述正面面朝所述沉积室以进行处理，所述沉积室具有相关的沉积室气体压强，并且所述背面与具有相关背部气体压强的背部区域流体流通；ii).在第一沉积室压强P_c1和第一背压P_b1下执行工件处理步骤，其中，P_c1和P_b1引起压强差P_b1‑P_c1，所述压强差P_b1‑P_c1被维持以避免所述工件与所述工件支架之间因压强致失去接触；以及iii).在第二沉积室压强P_c2和第二背压P_b2下执行工件冷却步骤，其中，P_c2和P_b2分别高于P_c1和P_b1，至少P_b2高至足以增强所述工件的冷却，并且其中，P_c2和P_b2引起压强差P_b2‑P_c2，维持所述压强差P_b2‑P_c2以避免所述工件与所述工件支架之间因压强致失去接触。