[发明专利]半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法有效
| 申请号： | 201310300403.3 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103413758B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵静 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人： | 唐华明 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。通过上述方案，采用选择性外延生长与各向异性刻蚀工艺相结合的方式，无需采用光刻技术，能够保证半导体鳍条与栅氧化层的表面相互垂直，并且降低了半导体鳍条表面的粗糙度、形成侧面光滑的鳍条。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体鳍条的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；所述第一掩膜层包括多个第一掩膜区域，每个第一掩膜区域覆盖衬底表面上的一个特定区域，相邻两个第一掩膜区域之间存在空白区域，所述空白区域底部是衬底；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上的空白区域选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
