[发明专利]相移空白掩模及其制造方法有效

申请号：	201310163203.8	申请日：	2013-04-25
公开（公告）号：	CN103376641A	公开（公告）日：	2013-10-30
发明（设计）人：	南基守;姜亘远;金东建;张种沅;崔珉箕	申请（专利权）人：	株式会社S&S技术
主分类号：	G03F1/26	分类号：	G03F1/26;G03F1/46;G03F1/56
代理公司：	北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019	代理人：	寿宁;张华辉
地址：	韩国大邱广***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。
搜索关键词：	相移空白及其制造方法
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【主权项】：

一种相移空白掩模，其中相移层设置在透明衬底上，其特征在于其中所述相移层包括由不同材料形成的至少两层，其中所述至少两层中的最上相移层包括至少金属、硅、氧和氮。

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相移掩模板以及相移掩模光刻设备-201820716388.9
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摘要：本实用新型提供了一种相移掩模板，将透光区分为不透光区两侧分别相邻的第一透光区和第二透光区，且第一透光区和第二透光区交替分布，由于第一透光区的厚度与第二透光区的厚度之间形成有预设高度差，分别通过第一透光区和第二透光区的两条光束之间形成180度的相位差，使得第一出射光束与第二出射光束抵消于相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处，以修正暗区图案，使得在晶圆表面形成的暗区图案的条纹宽度一致，提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。本实用新型还提供了一种相移掩模光刻设备，具有上述技术效果。

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申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本实用新型提供一种具有不同透光率的光刻版，所述光刻版包括：基板；形成于所述基板上表面的掩膜层，其中，所述掩膜层包括若干厚度不同的掩膜区域；以及形成于所述掩膜层上表面的保护层。通过本实用新型提供的所述具有不同透光率的光刻版，解决了现有光刻版需通过多次光刻才能得到具有不同深度的光刻图形，造成制造工序复杂、制造成本过高的问题。

掩膜版及其制造方法和彩色滤光片的制造方法-201810390317.9
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摘要：本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种掩膜版及其制造方法和彩色滤光片的制造方法，所述掩膜版包括玻璃基板和设置于所述玻璃基板上的薄膜层，所述薄膜层包括透光薄膜本体和形成于所述透光薄膜本体上的黑色不透光图案；所述彩色滤光片的制造方法在黑色矩阵制造过程可以选择使用所述掩膜版来代替现有使用的Cr掩膜版，在RGB制造过程中，将采用上述掩膜版生产出来的含黑色矩阵的玻璃基板作为RGB制造过程中的掩膜版，从而有效降低Cr掩膜版的使用数量，降低彩色滤光片的制造成本并减少对环境的污染。

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摘要：本发明提供一种能够制造相移掩模的相移掩模坯料，所述相移掩模能够精度良好地转印高精细的相移膜图案。本发明的相移膜至少具有下层和上层，所述下层具有调整对于从透明基板侧入射的光的反射率的功能，所述上层配置于下层的上侧，具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能，相移膜的对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性，相移膜对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率大于20％，且对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率的变动幅度为10％以下。

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摘要：本发明涉及光掩模坯料，该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时，第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。

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发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
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摘要：本发明提供了一种相移掩模板，将透光区分为不透光区两侧分别相邻的第一透光区和第二透光区，且第一透光区和第二透光区交替分布，由于第一透光区的厚度与第二透光区的厚度之间形成有预设高度差，分别通过第一透光区和第二透光区的两条光束之间形成180度的相位差，使得第一出射光束与第二出射光束抵消于相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处，以修正暗区图案，使得在晶圆表面形成的暗区图案的条纹宽度一致，提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。本发明还提供了一种相移掩模光刻设备以及一种相移掩模板的制作方法，具有上述技术效果。

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摘要：本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。

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一种单缝衍射掩膜板及制作方法、薄膜晶体管、阵列基板-201810004156.5
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摘要：本发明提供了一种单缝衍射掩膜板及制作方法、薄膜晶体管、阵列基板，用以获得更好的导电沟道图形分辨率，本发明提供的一种单缝衍射掩膜板，包括：衬底，设置于所述衬底上的包含狭缝的遮光层，所述遮光层的材料为移相材料。

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摘要：本发明提供能够使掩模图案截面形状的垂直化的光掩模坯料及其制造方法。本发明还提供使用其的光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。本发明的光掩模坯料具有透明基板(1)、遮光层(2)和减反射层(3)，遮光层(2)由含有铬和氮的铬化合物形成，减反射层(3)由含有铬、氮和氧的铬化合物形成，减反射层(3)中含有的铬的含量少于遮光层(2)中含有的铬的含量，减反射层(3)是叠层了多层的叠层膜，减反射层(3)的表面侧的上层部(32)所含有的氧含量多于减反射层(3)的遮光层侧的下层部(31)所含有的氧含量，在上层部(32)的表面侧具有实质上不含碳的区域，在该区域，氧朝向最表面连续地增加，且氧相对于氮的比例(O/N)的最大值为5以上。

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一种相位掩模板以及光纤光栅的制造设备及方法-201610034118.5
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摘要：本发明提出了一种相位掩模板以及光纤光栅的制造设备及方法；所述相位掩模板，用于设置在光纤(5)的前方，以使紫外光束透过相位掩模板(118)形成的干涉条纹打在光纤(5)的纤芯上，从而形成光纤光栅，包括透明衬底(1)，以及开设在透明衬底(1)上的多个不透明的凹槽(2)；该多个凹槽(2)呈扇形栅状图案分布；位于所述扇形栅状图案中部的凹槽与光纤(5)垂直；相邻两个凹槽(2)之间形成有透过部(3)，紫外光束透过多个透过部(3)形成干涉条纹。本发明所提出的非均匀相位掩模板可以快速调整干涉条纹周期，可与模板抖动算法配合制造复杂光纤光栅，实用性强。

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用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法-201510479333.1
发明人：孙龙;姜珉;金奉演;李贤珠;孔香植;周振豪;金敬植;白承化 -专利权人：三星显示有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G03F1/26
摘要：提供用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法。用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。

一种制备光掩模的装置及方法-201410049226.0
发明人：黄金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明提供一种制备光掩模的装置及方法，所述装置包括光刻胶烘烤装置，所述光刻胶烘烤装置至少包括：烘烤箱、设置于所述烘烤箱底部的发热底座、穿透所述发热底座的至少三个升降部件以及控制所述升降部件上下运动的控制装置；所述发热底座使所述烘烤箱内部温度自下而上依次降低；所述升降部件顶部放置旋涂有光刻胶的光掩模。本发明提供的光刻胶烘烤装置，通过升降部件的上下运动带动光掩模在不同的温度下进行烘烤，使光刻胶的粘附性更强，防止湿法刻蚀主图区的Cr层时由于光刻胶黏附性不好脱落导致外围区Cr层侧边被刻蚀过多。由于一台光刻胶烘烤装置具有不同的烘烤温度，因此仅需要一台光刻胶烘烤装置就可以满足光刻胶多温度烘烤的要求，使光刻胶涂布机的尺寸变小，成本也降低。

一种全覆盖风挡玻璃的雨刷器-201510077156.4
发明人：高志翔;刘丽想;董丽娟;刘艳红;王萍;杨春花;石云龙 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本实用新型公开了一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄，线宽一致的图形结构。本实用新型提供的掩模板包括：狭缝状透光区域和不透光区域，所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状；所述两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称；每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同；两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3μm，以及凹陷区域之间的距离为3-4μm。

一种掩模板-201520054802.0
发明人：高志翔;刘丽想;董丽娟;刘艳红;王萍;杨春花;石云龙 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本实用新型公开了一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄，线宽一致的图形结构。本实用新型提供的掩模板包括：狭缝状透光区域和不透光区域，所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状；所述两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称；每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同；两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3μm，以及凹陷区域之间的距离为3-4μm。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]相移空白掩模及其制造方法有效

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