[发明专利]具有钝化区段的半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310109196.3 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103199070A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨国宾;王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及一种半导体工艺。该半导体元件包括一晶粒、一第一钝化层、一金属布线层及一第二钝化层。该第一钝化层位于该晶粒上，且具有数个第一区段。该等第一区段的其中之一具有一第一宽度。该金属布线层位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段。该等第二区段的其中之一具有一第二宽度。该第二钝化层位于该金属布线层上，且具有数个第三区段。该等第三区段的其中之一具有一第三宽度。该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度。藉此，可减少翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 区段 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：一晶粒，具有一第一表面及一第二表面；一第一钝化层，位于该晶粒的第二表面，且具有数个第一区段，所述第一区段的其中之一具有一第一宽度；一金属布线层，位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段，所述第二区段的其中之一具有一第二宽度；及一第二钝化层，位于该金属布线层上，且具有数个第三区段，所述第三区段的其中之一具有一第三宽度；其中所述第二区段位于所述第一区段及所述第三区段之间，且该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度。
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