[发明专利]半导体晶圆及半导体封装构造无效
| 申请号： | 201310041548.6 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103165553A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 黄东鸿 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体晶圆及半导体封装构造。所述半导体晶圆包含多个芯片，每一所述芯片具有一有源表面及多个成形于所述有源表面上的接垫；一绝缘层，形成于所述芯片的有源表面上，并具有多个对应裸露所述接垫的开口结构，所述开口结构包含一中心开口及至少两延伸开槽，所述中心开口的孔径小于所述接垫的直径，所述延伸开槽从所述中心开口边缘放射状向外延伸并与所述接垫的边缘保持一间距；多个凸块下金属层，分别形成于所述开口结构上而电性连接所述接垫；以及多个导电凸块，分别形成于所述凸块下金属层上。所述绝缘层的开口结构有助于加强应力缓冲效果及增加凸块下金属层与接垫的结合面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，其特征在于：所述半导体晶圆包含︰多个芯片，每一所述芯片具有一有源表面及多个成形于所述有源表面上的接垫；一绝缘层，形成于所述芯片的有源表面上，并具有多个对应裸露所述接垫的开口结构，所述开口结构包含一中心开口及至少两延伸开槽，所述中心开口的孔径小于所述接垫的直径，所述延伸开槽从所述中心开口边缘放射状向外延伸并与所述接垫的边缘保持一间距；多个凸块下金属层，分别形成于所述开口结构上而电性连接所述接垫；以及多个导电凸块，分别形成于所述凸块下金属层上。
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