[发明专利]使用穿透硅通道的半导体封装方法有效
| 申请号： | 201310022626.8 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103178032A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | B·哈巴;G·汉普斯通;M·毛尔高丽特 | 申请（专利权）人： | 英闻萨斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/065 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微电子单元可包括半导体元件，所述半导体元件具有前表面、靠近前表面的微电子半导体器件、位于前表面的接触部和远离前表面的后表面。半导体元件可具有从后表面延伸穿过半导体元件并且穿过接触部的通孔。介电层可铺衬于通孔。导电层可层叠于通孔中的介电层上。导电层可将接触部与单元接触部导电互连。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 穿透 通道 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子单元，包括：半导体元件，其具有前表面、与前表面相反的后表面、靠近前表面的微电子半导体器件以及位于前表面的接触部，所述半导体元件具有从所述后表面延伸穿过半导体元件并且穿过接触部的通孔，所述接触部具有背对半导体元件的外表面以及与外表面相反的内表面，所述通孔限定出在接触部中从所述内表面朝向所述外表面延伸的壁表面；单块式介电层，其铺衬于所述通孔的一些部分且至少部分地层叠于所述内表面；以及导电元件，其层叠于位于通孔中的介电层，所述导电元件至少接触所述接触部中的所述壁表面，从而将所述接触部与单元接触部导电互连。
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