[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种从以静电等为主要原因的浪涌电流中对电路进行保护的结构。本发明的半导体装置的特征在于：第一杂质扩散区域被设置于半导体基板内，第二杂质扩散区域被设置于第一杂质扩散区域内，第三杂质扩散区域被设置于第二杂质扩散区域中，第四杂质扩散区域的第一部分以与第三杂质扩散区域分离的方式而被设置于第二杂质扩散区域内，第四杂质扩散区域的第二部分被设置于第一杂质扩散区域的第三部分的半导体基板的表面侧，第一接点被设置为，与第二部分相接，第一接点与第三部分在俯视观察时重叠，第一电源与第三杂质扩散区域连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板；第二导电型的第一杂质扩散区域；第一导电型的第二杂质扩散区域；第二导电型的第三杂质扩散区域；第二导电型的第四杂质扩散区域；第一接点；第一电源，所述第一杂质扩散区域被设置于所述半导体基板内，所述第二杂质扩散区域被设置于所述第一杂质扩散区域内，所述第三杂质扩散区域被设置于所述第二杂质扩散区域内，所述第四杂质扩散区域的第一部分以与所述第三杂质扩散区域分离的方式而被配置于第二杂质扩散区域内，所述第四杂质扩散区域的第二部分被设置于所述第一杂质扩散区域的第三部分的所述半导体基板的表面侧，所述第一部分与所述第二部分连续，所述第一接点被设置为，与所述第二部分相接，所述第一接点与所述第三部分在俯视观察时重叠，所述第一电源与所述第三杂质扩散区域连接。