[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201280060455.1 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103988305A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 奥山正树;佐藤久克 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;苏萌萌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

第一导电型的半导体基板;

第二导电型的第一杂质扩散区域;

第一导电型的第二杂质扩散区域;

第二导电型的第三杂质扩散区域;

第二导电型的第四杂质扩散区域;

第一接点;

第一电源,

所述第一杂质扩散区域被设置于所述半导体基板内,

所述第二杂质扩散区域被设置于所述第一杂质扩散区域内,

所述第三杂质扩散区域被设置于所述第二杂质扩散区域内,

所述第四杂质扩散区域的第一部分以与所述第三杂质扩散区域分离的方式而被配置于第二杂质扩散区域内,所述第四杂质扩散区域的第二部分被设置于所述第一杂质扩散区域的第三部分的所述半导体基板的表面侧,

所述第一部分与所述第二部分连续,

所述第一接点被设置为,与所述第二部分相接,

所述第一接点与所述第三部分在俯视观察时重叠,

所述第一电源与所述第三杂质扩散区域连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一接点与所述第一杂质扩散区域的预定的区域通过第一配线而被连接,所述第一杂质扩散区域的预定的区域能够在其与所述第三部分之间夹着所述第二杂质扩散区域。

3.一种半导体装置,其特征在于,包括:

第一导电型的半导体基板;

被设置于所述半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散区域;

被设置于所述第一杂质扩散区域内的第一导电型的第二杂质扩散区域;

被设置于所述第二杂质扩散区域内的第二导电型的第三杂质扩散区域;

第二导电型的第四杂质扩散区域;

被设置于所述第二杂质扩散区域内的第二导电型的第五杂质扩散区域;

第一接点;

第一电源,

所述第二杂质扩散区域被配置为,在俯视观察时,被所述第一杂质扩散区域的第一区域包围,并且包围所述第一杂质扩散区域的第二区域,

所述第三杂质扩散区域以及所述第五杂质扩散区域被配置为,在俯视观察时,所述第二区域位于它们之间,

所述第四杂质扩散区域在俯视观察时,被配置在所述第三杂质扩散区和所述第五杂质扩散区域之间,

所述第四杂质扩散区域由第一部分、第二部分和第三部分构成,所述第二部分被配置于所述第二区域内,所述第一部分以与所述第三杂质扩散区域分离的方式而被配置于所述第二杂质扩散区域的所述第三杂质扩散区域侧,所述第三部分以与所述第五杂质扩散区域分离的方式而被配置于所述第二杂质扩散区域的所述第五杂质扩散区域侧,

所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分连续,

所述第一接点被设置为,与所述第二部分相接,

所述第一电源与所述第三杂质扩散区域以及所述第五杂质扩散区域连接。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一接点与所述第一区域通过第一配线而被连接。

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