[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201280060455.1 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103988305A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 奥山正树;佐藤久克 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一导电型的半导体基板;
第二导电型的第一杂质扩散区域;
第一导电型的第二杂质扩散区域;
第二导电型的第三杂质扩散区域;
第二导电型的第四杂质扩散区域;
第一接点;
第一电源,
所述第一杂质扩散区域被设置于所述半导体基板内,
所述第二杂质扩散区域被设置于所述第一杂质扩散区域内,
所述第三杂质扩散区域被设置于所述第二杂质扩散区域内,
所述第四杂质扩散区域的第一部分以与所述第三杂质扩散区域分离的方式而被配置于第二杂质扩散区域内,所述第四杂质扩散区域的第二部分被设置于所述第一杂质扩散区域的第三部分的所述半导体基板的表面侧,
所述第一部分与所述第二部分连续,
所述第一接点被设置为,与所述第二部分相接,
所述第一接点与所述第三部分在俯视观察时重叠,
所述第一电源与所述第三杂质扩散区域连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一接点与所述第一杂质扩散区域的预定的区域通过第一配线而被连接,所述第一杂质扩散区域的预定的区域能够在其与所述第三部分之间夹着所述第二杂质扩散区域。
3.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一导电型的半导体基板;
被设置于所述半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散区域;
被设置于所述第一杂质扩散区域内的第一导电型的第二杂质扩散区域;
被设置于所述第二杂质扩散区域内的第二导电型的第三杂质扩散区域;
第二导电型的第四杂质扩散区域;
被设置于所述第二杂质扩散区域内的第二导电型的第五杂质扩散区域;
第一接点;
第一电源,
所述第二杂质扩散区域被配置为,在俯视观察时,被所述第一杂质扩散区域的第一区域包围,并且包围所述第一杂质扩散区域的第二区域,
所述第三杂质扩散区域以及所述第五杂质扩散区域被配置为,在俯视观察时,所述第二区域位于它们之间,
所述第四杂质扩散区域在俯视观察时,被配置在所述第三杂质扩散区和所述第五杂质扩散区域之间,
所述第四杂质扩散区域由第一部分、第二部分和第三部分构成,所述第二部分被配置于所述第二区域内,所述第一部分以与所述第三杂质扩散区域分离的方式而被配置于所述第二杂质扩散区域的所述第三杂质扩散区域侧,所述第三部分以与所述第五杂质扩散区域分离的方式而被配置于所述第二杂质扩散区域的所述第五杂质扩散区域侧,
所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分连续,
所述第一接点被设置为,与所述第二部分相接,
所述第一电源与所述第三杂质扩散区域以及所述第五杂质扩散区域连接。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一接点与所述第一区域通过第一配线而被连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的