[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280038340.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103828076A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 石原政道;小山贤秀;村上昭二;小野坂仁伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社STEQ;株式会社SS技术;四国计测工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L23/12;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有在耐热性、散热性及耐久性方面表现优异的电绝缘层而且由在成本性及工艺性方面表现优异的工艺进行制造的半导体装置。本发明的半导体装置，是具备直接或间接安装有半导体芯片的第1基板、以及形成于第1基板的表面的起到作为反射材的功能的白色绝缘层的半导体装置，半导体芯片是LED，第1基板的至少表面为金属，在第1基板表面上涂布包含纳米粒子化了的SiO2及白色无机颜料的液材，通过烧成而形成白色绝缘层与金属层的层叠构造，优选上述烧成后的白色绝缘层中所含有的SiO2及白色无机颜料的比例为80重量%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，是具备直接或间接安装有半导体芯片的第1基板、以及形成于第1基板的表面的起到作为反射材的功能的白色绝缘层的半导体装置，半导体芯片是LED芯片，第1基板的至少表面为金属，在第1基板表面上涂布包含纳米粒子化了的SiO2及白色无机颜料的液材，通过烧成而形成白色绝缘层与金属层的层叠构造。
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