[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

是具备直接或间接安装有半导体芯片的第1基板、以及形成于第1基板的表面的起到作为反射材的功能的白色绝缘层的半导体装置，

半导体芯片是LED芯片，

第1基板的至少表面为金属，在第1基板表面上涂布包含纳米粒子化了的SiO₂及白色无机颜料的液材，通过烧成而形成白色绝缘层与金属层的层叠构造。

2.一种半导体装置，其特征在于，

是具备直接或间接安装有半导体芯片的第1基板、以及形成在第1基板的表面的白色绝缘层的半导体装置，

第1基板的至少表面为金属，在第1基板表面上涂布包含纳米粒子化了的SiO₂及白色无机颜料的液材，通过烧成而形成白色绝缘层与金属层的层叠构造。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述烧成后的白色绝缘层中所含有的SiO₂及白色无机颜料的比例为80重量%以上。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述烧成后的白色绝缘层中所含有的白色无机颜料的比例为40重量%以上，SiO₂的比例为25重量%以上。

5.如权利要求1～4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述白色无机颜料是表面被透明绝缘膜涂布的、二氧化钛或氧化锌的粒子。

6.如权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述白色绝缘层由以氧化锌为白色无机颜料的第1层、及以二氧化钛为白色无机颜料的第2层的层叠构成，构成第1层的氧化锌粒子被透明绝缘膜涂布。

7.如权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1基板是安装有具有半导体芯片的半导体封装体的模块基板，在所述白色绝缘层之上，形成有与半导体封装体的电极相连接的配线的图案。

8.如权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1基板是安装有多个半导体芯片的模块基板，与半导体芯片的电极相连接的配线层形成于在所述第1基板表面形成的绝缘层上。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

位于所述配线层之下的绝缘层是有机绝缘层。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述配线层的表面的至少一部分被所述白色绝缘层所覆盖。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

位于所述配线层之下的绝缘层是白色绝缘层。

12.如权利要求8～11中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在配置有半导体芯片的位置，形成有露出金属面的载置部。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述载置部是凸状载置部。

14.如权利要求8～13中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体芯片与相邻的半导体芯片引线接合连接。

15.如权利要求7～14中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1基板，形成有由无机材料构成的透明的阻焊层。

16.如权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1基板是形成了配置有一个或多个半导体芯片的所述白色绝缘层且具有凹处的封装体基板，还具备具有嵌合有第1基板的开口的第2基板。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

与半导体芯片的电极相连接的配线层形成于在所述第1基板的基底材表面上形成的有机材绝缘层上，该配线层的表面的至少一部分被所述白色绝缘层所覆盖。

18.如权利要求16或17所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1基板的凹处的配置有半导体芯片的位置，形成有露出金属面的载置部。

19.如权利要求16、17或18所述的半导体装置，其特征在于，

具备抵接于所述第1及第2基板的背面的散热板。