[实用新型]衬底支撑结构及沉积装置有效
| 申请号： | 201220736185.9 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203007479U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林翔 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种衬底支撑结构，所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内具有通孔，所述通孔用于收容衬底，所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层，所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生外延沉积。本实用新型还涉及一种沉积装置，所述沉积装置包括可密闭的反应腔、所述的衬底支撑结构、用于向所述衬底供给原料气体的气体供给机构、用于加热所述衬底的加热机构，本实用新型的所述衬底支撑结构或沉积装置能够减少或避免原料气体的浪费，从而节约原料气体，同时也减少对所述温度补偿板的清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 支撑 结构 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种衬底支撑结构，用于在沉积III‑V族化合物的工艺中支撑衬底，其特征在于：所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内具有通孔，所述通孔用于收容衬底，所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层，所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生III‑V族化合物外延沉积。
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- 本发明涉及一种低压化学气相沉淀腔的晶圆支撑结构，所述支撑结构包括一支撑管，所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中，所述支撑管的周壁上借助卡夹夹持晶圆，支撑管中轴承设有内导气管，所述内导气管与所述支撑管之间设有多根导管，所述导管的出气端置于相邻的卡夹之间。本发明的支撑结构，其支撑管采用放射方式固定晶圆，大大降低晶圆的支撑体积，减小整个沉淀腔的体积，并采用内导气结构，提高反应气体与晶圆的接触均匀度。
- 一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘-201620529417.1
- 王明军;孙一军;陈思远;肖志;王辉;王国宏 - 扬州中科半导体照明有限公司
- 2016-06-03 - 2016-12-14 - C30B25/12
- 一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，在圆形石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。本实用新型采用以上技术方案可增加石墨盘在此相应区域的背面到加热丝的距离，达到降低中心片位置的生长温度，从而改善因内外圈生长速率不一致造成的中心片位置波长偏短现象，提高波长命中率。
- 一种外延炉小盘基座-201620364915.5
- 孙永强;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
- 2016-04-27 - 2016-10-12 - C30B25/12
- 本实用新型公开了一种外延炉小盘基座，所述小盘基座中部凸起形成用于生长外延晶片的可旋转圆盘平台，圆盘平台上表面的周缘设置有至少三个限位块，所述限位块是沿圆盘平台周向延伸的条状凸起且近圆盘平台中心一侧形成与外延晶片匹配的圆弧段。通过限位块将衬底固定于圆盘平台上，去除了外限位环，固定效果好，可有效防止生长过程中晶片衬底飞离圆盘平台。
- 一种外延炉的盖片-201620388943.0
- 罗金云;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
- 2016-05-03 - 2016-10-12 - C30B25/12
- 本实用新型公开了一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，该盖片包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。本实用新型通过上下盖片的分段设计可有效避免因加热沉积作用导致的变形，从而提高其使用寿命，避免对晶片生长过程产生不良影响，降低了生产成本。
- 一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘-201521131002.0
- 刘小平;孙钱;孔列江;孙秀建;鲁德;李增成 - 晶能光电（常州）有限公司
- 2015-12-30 - 2016-06-15 - C30B25/12
- 本实用新型公开了一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘，涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包括石墨盘盘体，在石墨盘盘体上设有多个用于放置硅衬底的圆形凹槽；每个凹槽中包括：槽体、底面、第一侧壁、圆台以及第二侧壁，其中，底面为位于槽体底部，且底面为环形、向上拱形凸起；第一侧壁自底面边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成；圆台自第一侧壁的顶端向外弯折延伸而成；第二侧壁自圆台边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成，第二侧壁的顶端与槽体表面内边缘相接。本实用新型有效解决了硅衬底III-V族氮化物外延生长过程中由于外延片翘曲带来的温场不均匀分布，改善硅衬底III-V族氮化物外延生长的品质与外观及片内波长均匀性。
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