[实用新型]半导体封装基板有效
申请号: | 201220130311.6 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN202549828U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 胡迪群;詹英志;林俊廷 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体封装基板,其借由导电结合层配合导电柱以作为外接结构,可使各外接结构的高度相等,所以于后续堆栈工艺时,各该半导体封装基板之间不会发生倾斜、共平面性不良等问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
【主权项】:
一种半导体封装基板,其特征在于,该半导体封装基板包括:基板本体,其具有相对的两表面,该两表面上具有线路层,而至少一表面上的线路层具有多个第一与第二电性接触垫:绝缘保护层,其设于该基板本体及该线路层上,且于该绝缘保护层上形成有开孔,以令该些第一与第二电性接触垫外露于该些开孔;第一导电柱,其设于该些开孔中的第一电性接触垫上;第二导电柱,其设于该些开孔中的第二电性接触垫上,且该第二导电柱的高度高于该第一导电柱的高度;第一导电结合层,其形成于该第一导电柱上,以令该第一导电柱与第一导电结合层形成第一外接结构;以及第二导电结合层,其形成于该第二导电柱上,以令该第二导电柱与第二导电结合层形成第二外接结构,使该第一外接结构的高度等于该第二外接结构的高度。
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