[发明专利]发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品无效

专利信息
申请号: 201210508759.1 申请日: 2012-12-03
公开(公告)号: CN103779451A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 陈正言;赖育弘;林政宏;罗玉云 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/78;H01L33/48
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品,首先在透光晶圆的顶面形成具有对位构件、多个阵列的发光构件与交错排列而区隔出发光构件的预定切割道的磊晶层体;接着于透光晶圆相反于顶面的背面形成对应预定切割道的图案化光阻;再于透光晶圆的背面形成整面的不透明膜层;然后移除图案化光阻及其上的不透明膜层而借此在透光晶圆背面形成多个分别对应发光构件位置的不透明块体,借由上述步骤制得本发明发光二极管晶圆,并在劈裂分离后得到背面具不透明块体且也能避免爬胶问题产生的发光二极管晶粒。
搜索关键词: 发光二极管 制作方法 及其 晶粒 成品
【主权项】:
一种发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于包含以下步骤:(A)在一个透光晶圆的顶面上形成一层磊晶层体,且该磊晶层体具有至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件,及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道;(B)于该透光晶圆相反于该顶面的背面利用该对位构件对准形成一层具有相对应所述预定切割道位置的图案化光阻;(C)于该透光晶圆的背面形成整面式的不透明膜层;(D)移除该透光晶圆背面的图案化光阻及位于该图案化光阻上的不透明膜层部分,借此形成多个相对应所述发光构件位置的不透明块体。
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