[发明专利]发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆的制作方法及其成品，特别是涉及一种发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品。

背景技术

参阅图1，一般的发光二极管固晶是将一个发光二极管晶粒利用黏晶材料101(如银胶)键合于一个封装基材100上而供后续如灯具、面板背光源等等的应用。通常，该发光二极管晶粒包含一个基板11、一个形成于该基板11上的发光构件12，及一个形成于该发光构件12上并用以电连接于该发光构件12及外部电路（图未示）的电极单元13。

该发光构件12包含一层第一披覆层121、一层发光层122及一层第二披覆层123。该第一披覆层121通常以n型半导体材料构成，例如n型氮化镓，通常也称作n型披覆层；该第二披覆层123通常以p型半导体材料构成，例如p型氮化镓，通常也称作p型披覆层；该发光层122夹置于第一披覆层121与第二披覆层123间，并在通过该电极单元13接受外部电能后，将电能转换为光能而发光。

该电极单元13以例如金属、金属合金等导体材料所构成，包括两个分别设置于该第一披覆层121、第二披覆层123上的电极垫131，并与该发光构件12形成完整的电通路，使得外部电流能输往该发光构件12。

但，上述发光二极管晶粒在进行固晶时，必须在每一独立的晶粒上一一点胶后再进行黏着，因此较耗时耗力，所以，目前还发展出另一种特别于劈裂分离前的晶圆制作过程中直接在晶圆背面形成一层可用于固晶的不透明层体，例如图2所示的发光二极管晶圆。

参阅图2、图3，该发光二极管晶圆首先是在一个晶圆基板11’的顶面形成多个发光构件12与多个交错以定义出所述发光构件12的预定切割道120，并在所述发光构件12上形成所需电极垫131而构成电极单元13后，再以镀覆、涂布的方式在该晶圆基板11’背面整面形成一层固晶层体14(如合金)，接着对此发光二极管晶圆通过所述预定切割道120进行劈裂、分割后，便能得到如图3所示彼此独立分离且在基板11背面具有固晶块体14’的发光二极管晶粒。而该形成有固晶块体14’的发光二极管晶粒可以直接键合于封装基材上，而不需一一进行点胶的动作，进而提升整体制程效率。

然而，该固晶层体14通常是由不透光的材料所构成，所以在进行晶圆劈裂、分割时不易对准于该晶圆基板11’顶面的发光构件12而可能在切割时破坏到晶粒本身；此外，当发光二极管晶粒进行固晶的时候，该固晶块体14’也会因为加温、施压黏着等固晶动作而发生溢胶或爬胶问题，导致该发光二极管晶粒的侧周缘部分被该不透明的固晶块体14’所遮覆（如图1所示），进而影响发光二极管晶粒整体的出光效率，甚至影响到电路连接，造成漏电流或短路等质量问题，导致可靠度降低和封装不良率提高。

因此，晶圆背面形成不透明层体的发光二极管晶圆的制作方法与其成品仍有待进一步的改良，以避免上述问题的发生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可由晶圆背面进行对位，进而在晶圆背面形成多个间隔排列的不透明块体的发光二极管晶圆的制作方法。

本发明发光二极管晶圆的制作方法包含以下步骤：

（A）在一个透光晶圆的顶面上形成一层磊晶层体，且该磊晶层体具有至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件，及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道。

（B）于该透光晶圆相反于该顶面的背面利用该对位构件对准形成一层具有相对应所述预定切割道位置的图案化光阻。

（C）于该透光晶圆的背面形成整面式的不透明膜层。

（D）移除该透光晶圆背面的图案化光阻及位于该图案化光阻上的不透明膜层部分，借此形成多个相对应所述发光构件位置的不透明块体。

较佳地，该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积小于相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积。

较佳地，该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积是相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积的0.5倍至0.9倍。

较佳地，该步骤(A)形成的该对位构件的顶面还进一步形成一层具反光特性的反射层。

较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料和反射材料的其中至少一种。

较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料，且选自银胶、金、锡、金锡合金和铅锡合金的其中至少一种。

较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为反射材料，且选自银、铬、镍、铝和布拉格反射镜的其中至少一种。

较佳地，该步骤(A)与步骤(B)间，可进一步包含步骤(E)，该步骤(E)是在该透光晶圆背面的预定位置形成一层预镀层。