[发明专利]发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品无效

专利信息
申请号: 201210508759.1 申请日: 2012-12-03
公开(公告)号: CN103779451A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 陈正言;赖育弘;林政宏;罗玉云 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/78;H01L33/48
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制作方法 及其 晶粒 成品
【权利要求书】:

1.一种发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于包含以下步骤:

(A)在一个透光晶圆的顶面上形成一层磊晶层体,且该磊晶层体具有至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件,及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道;

(B)于该透光晶圆相反于该顶面的背面利用该对位构件对准形成一层具有相对应所述预定切割道位置的图案化光阻;

(C)于该透光晶圆的背面形成整面式的不透明膜层;

(D)移除该透光晶圆背面的图案化光阻及位于该图案化光阻上的不透明膜层部分,借此形成多个相对应所述发光构件位置的不透明块体。

2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积小于相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积。

3.根据权利要求2所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积是相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积的0.5倍至0.9倍。

4.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(A)形成的该对位构件的顶面还进一步形成一层具反光特性的反射层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料和反射材料的其中至少一种。

6.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料,且选自银胶、金、锡、金锡合金和铅锡合金的其中至少一种。

7.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(C)的不透明膜层为反射材料,且选自银、铬、镍、铝和布拉格反射镜的其中至少一种。

8.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(A)与步骤(B)间,可进一步包含步骤(E),该步骤(E)是在该透光晶圆背面的预定位置形成一层预镀层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(E)具有下列步骤:

(E1)先以一块遮罩遮覆该透光晶圆背面的一个对应于该对位构件位置的对位区;

(E2)在透光晶圆背面无该遮罩遮覆的区域形成该预镀层;

(E3)移除该遮罩令该透光晶圆的对位区裸露。

10.根据权利要求9所述的发光二极管晶圆的制作方法,其特征在于:该步骤(E)中的预镀层与不透明膜层是由相同材料所构成。

11.一种发光二极管晶圆,包含一个透光晶圆,及一层形成于该透光晶圆顶面的磊晶层体,该磊晶层体包括至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件,及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道,其特征在于:该透光晶圆还包括一个相反于该顶面的背面,且该发光二极管晶圆还包含多个不透明块体,而所述不透明块体位于该透光晶圆的背面且相对应于所述发光构件位置设置。

12.根据权利要求11所述的发光二极管晶圆,其特征在于:所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积是相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积的0.5倍至0.9倍。

13.根据权利要求11所述的发光二极管晶圆,其特征在于:该发光二极管晶圆还包含一层具反光特性且形成于该对位构件顶面的反射层。

14.根据权利要求11所述的发光二极管晶圆,其特征在于:所述不透明块体为固晶材料和反射材料的其中至少一种。

15.根据权利要求11所述的发光二极管晶圆,其特征在于:该发光二极管晶圆还包含一层预镀层,该预镀层位于该透光晶圆的背面与所述不透明块体间,且该预镀层为连续式的膜层结构。

16.根据权利要求15所述的发光二极管晶圆,其特征在于:该预镀层与所述不透明块体由相同材料所构成。

17.一种发光二极管晶粒,包含一个基板及一个发光构件,该基板包括一个顶面及一个相对于该顶面的背面,而该发光构件形成于该基板的顶面且可将所接受的电能转换为光能而发光;其特征在于:该发光二极管晶粒还包含一个位于该基板背面的不透明块体,且该不透明块体于该基板的投影被涵盖在该发光构件于该基板的投影内。

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