[发明专利]半导体封装构造及其制造方法有效
| 申请号： | 201210463937.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000539A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉临 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装构造及其制造方法，所述方法包含：提供一晶圆；于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割，以形成数个切槽，所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元，所述芯片单元包含第一表面，背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面；形成一导电遮罩层于所述晶圆上，使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽；对应所述切槽的位置对所述遮罩层进行第二次切割；以及于每一芯片单元未覆盖遮罩层的第二表面设置一接地导线连接所述遮罩层。所述制造方法可避免遮罩层附着于底胶，提供良好的抗翘曲能力与散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：S1：提供一晶圆；S2：于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割，以形成数个切槽，所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元，所述芯片单元包含第一表面，背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面；S3：形成一导电遮罩层于所述数个芯片单元上，以使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽；S4：对应所述切槽的位置对所述导电遮罩层进行第二次切割；以及S5：于每一芯片单元未覆盖导电遮罩层的第二表面形成一接地导线连接所述导电遮罩层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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